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NTLJS3180PZTBG Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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NTLJS3180PZTBG Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTLJS3180PZTBG Referenzpreis. NTLJS3180PZTBG Parameter, NTLJS3180PZTBG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTLJS3180PZTBG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTLJS3180PZTBG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTLJS3180PZTBG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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