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NTMFD4C86NT1G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMFD4901NF ON Spezialisierte heiße ICs 2706
NTMFD4901NF1G VB Spezialisierte heiße ICs 2000
NTMFD4901NFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 1434
NTMFD4901NFT1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMFD4901NFT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 318
NTMFD4901NFT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 10130
NTMFD4901NFT3G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMFD4902NF ON Spezialisierte heiße ICs 2630
NTMFD4902NF1G VB Spezialisierte heiße ICs 2000
NTMFD4902NFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 10066

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