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NTMFS4C029NT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.88 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names NTMFS4C029NT1G-ND NTMFS4C029NT1GOSTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 44 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 987pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Dissipation (Max) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 46A (Tc)
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