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NTMFS4H01NT3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Ta), 334A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5693pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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NTMFS4H01NT3G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTMFS4H01NT3G Referenzpreis. NTMFS4H01NT3G Parameter, NTMFS4H01NT3G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTMFS4H01NT3G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTMFS4H01NT3G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTMFS4H01NT3G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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