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NTMFS5830NLT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 172A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5880pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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