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NTMS10P02R2G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3640pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMS10P02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2532
NTMS10P02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20332
NTMS10P02R2 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTMS10P02R2 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5636
NTMS10P02R2G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTMS10P02R2G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 460

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