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NTMS4916NR2G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1376pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMS4101PR2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2518
NTMS4101PR2G O Spezialisierte heiße ICs 17585
NTMS4105NR2G ON Spezialisierte heiße ICs 47740
NTMS4107NR2 ON Spezialisierte heiße ICs 2785
NTMS4107NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 44247
NTMS4107NR2G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTMS4118NR2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30
NTMS4176PR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 70159
NTMS4177P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 995
NTMS4177PE2G ON Spezialisierte heiße ICs 702

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