NTNS3190NZT5G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15.8pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 224mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 3-XLLGA (0.62x0.62)
Power Dissipation (Max) 120mW (Ta)
Package / Case 3-XFDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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