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NTR4170NT3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max) 480mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.76nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 432pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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