NTRV4101PT1G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max) 420mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTRV4101PT O Spezialisierte heiße ICs 18985
NTRV4101PT1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTRV4101PT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3269

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