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NTTFS5811NLTAG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 53A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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