NTY100N10G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 123A TO-264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-264
Power Dissipation (Max) 313W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 123A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10110pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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NTY100N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2778
NTY10N100E ON Spezialisierte heiße ICs 2547

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