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NVMD6N03R2G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 1.29W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NVMD6N03R2G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NVMD6N03R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMD6N04 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2532
NVMD6N04R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2700
NVMD6N04R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMD6P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2721
NVMD6P02R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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