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NVMFS5C612NLWFAFT3G
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NVMFS5C612NLWFAFT3G Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 44 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.36 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 250A (Tc) |
NVMFS5C612NLWFAFT3G Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
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Etikettendruck
NVMFS5C612NLWFAFT3G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NVMFS5C612NLWFAFT3G Referenzpreis. NVMFS5C612NLWFAFT3G Parameter, NVMFS5C612NLWFAFT3G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NVMFS5C612NLWFAFT3G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NVMFS5C612NLWFAFT3G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NVMFS5C612NLWFAFT3G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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