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PN2222G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 30V 0.6A TO92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PN2221 Original Spezialisierte heiße ICs 2730
PN2222 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 50000
PN2222 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
PN2222A STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 29608
PN2222A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2277
PN2222A PBFREE Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
PN2222A+126 NXP Spezialisierte heiße ICs 1293
PN2222A,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2770
PN2222A,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2797
PN2222A,412 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2529

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