RFD10P03LSM Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252-3
Packaging Tube
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Detailed Description P-Channel 30V 10A (Tc) Surface Mount TO-252-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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