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SBC808-25LT1G Technische Spezifikationen
TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
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SBC807-16LT1G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
SBC807-16LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2720 |
SBC807-16LT3G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
SBC807-25LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2537 |
SBC807-25LT1G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
SBC807-25LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 10000 |
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SBC808-25LT1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, SBC808-25LT1G Referenzpreis. SBC808-25LT1G Parameter, SBC808-25LT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SBC808-25LT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SBC808-25LT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SBC808-25LT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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