SGM2N60UFTF Technische Spezifikationen

IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Switching Energy 30µJ (on), 13µJ (off)
Power - Max 2.1W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 2.4A 2.1W Surface Mount SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/80ns
Supplier Device Package SOT-223-4
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 9nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 10A
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SGM2N60UF FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5583
SGM2N60UFT FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5712
SGM2N60UFTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2434
SGM2N60UFTF ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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