SGP23N60UFDTU Technische Spezifikationen

IGBT 600V 23A 100W TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 12A, 23 Ohm, 15V
Switching Energy 115µJ (on), 135µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 49nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A
Base Part Number SG*23N60
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A
Td (on/off) @ 25°C 17ns/60ns
Supplier Device Package TO-220-3
Power - Max 100W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max) 23A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SGP23N60UF FSC Spezialisierte heiße ICs 1314
SGP23N60UFD Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 14161
SGP23N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2714
SGP23N60UFDTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
SGP23N60UFTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 8945
SGP23N60UFTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 8945
SGP23N60UFTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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