SGR2N60UFDTM Technische Spezifikationen

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Switching Energy 30µJ (on), 13µJ (off)
Power - Max 25W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 2.4A 25W Surface Mount D-Pak
Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/80ns
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 9nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 10A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SGR2N60UFD FSC Spezialisierte heiße ICs 2775
SGR2N60UFDTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 1761
SGR2N60UFDTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2801
SGR2N60UFDTF ON Semiconductor Einzelne IGBTs
SGR2N60UFDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2786
SGR2N60UFDTM ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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