SGW23N60UFDTM Technische Spezifikationen

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 12A, 23 Ohm, 15V
Switching Energy 115µJ (on), 135µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 49nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A
Base Part Number SG*23N60
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A
Td (on/off) @ 25°C 17ns/60ns
Supplier Device Package D²PAK
Power - Max 100W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 23A
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SGW23N60UF FSC Spezialisierte heiße ICs 2508
SGW23N60UFDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2798
SGW23N60UFDTM ON Semiconductor Einzelne IGBTs
SGW23N60UFDTM Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
SGW23N60UFTM FSC Spezialisierte heiße ICs 903

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