SI3442DV Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) 8V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
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