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SMUN2232T1G
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SMUN2232T1G Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-59 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
SMUN2232T1G Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SMUN2'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SMUN2111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2564 |
SMUN2111T1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
SMUN2111T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2764 |
SMUN2111T3G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
SMUN2113T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2526 |
SMUN2113T1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
SMUN2114T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 3129 |
SMUN2114T1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
SMUN2211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 16550 |
SMUN2211T1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren |
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