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SS9018HBU Technische Spezifikationen

TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Gain -
Detailed Description RF Transistor NPN 15V 50mA 1.1GHz 400mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 400mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 1.1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 97 @ 1mA, 5V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SS9011-GBU FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 10280
SS9011-H SVMSUNG Spezialisierte heiße ICs 4242
SS9011FBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2524
SS9011FBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714
SS9011FBU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
SS9011GBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2594
SS9011GBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
SS9011GBU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
SS9011HBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2878
SS9011HBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 21298

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