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STD25P03LT4G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK-3
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 25A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD25 Bussmann (Eaton) Elektrische, Spezial-Sicherungen 2774
STD253GK08 SIRECTIFIER IGBT-Module 2635
STD253GK12 SIRECTIFIER IGBT-Module 2684
STD253GK14 SIRECTIFI IGBT-Module 2548
STD253GK16 SIRECTIFIER IGBT-Module 2755
STD253GK18 SIRECTIFIER IGBT-Module 2660
STD2555NL S Spezialisierte heiße ICs 10500
STD2596-ADJ SEMTRON Spezialisierte heiße ICs 584
STD25N10 ST Spezialisierte heiße ICs 22808
STD25N10F7 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34691

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