TN6725A_D26Z Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO-226

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50V 1.2A 1W Through Hole TO-226
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number TN6725A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A
Supplier Device Package TO-226
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 4000 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
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TN6725A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
TN6725A ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
TN6725A_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2648
TN6725A_D27Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2756
TN6725A_D27Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2757
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