AS4C32M8SA-6TINTR Technische Spezifikationen

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Alliance Memory, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 256Mb (32M x 8)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TSOP II
Access Time 5.5ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 54-TSOP II
Package / Case 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Clock Frequency 166MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AS4C32M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2513
AS4C32M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2526
AS4C32M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2793
AS4C32M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2619
AS4C32M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2759
AS4C32M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2630
AS4C32M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2709
AS4C32M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2505
AS4C32M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2510
AS4C32M16D1A-5TANTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2508

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