AS4C8M32S-6TINTR Technische Spezifikationen

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Alliance Memory, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 256Mb (8M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
Access Time 5.5ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 86-TSOP II
Package / Case 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Clock Frequency 166MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2567
AS4C8M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2690
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2644
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2605
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2641
AS4C8M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2531
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2523
AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2703
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2516
AS4C8M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. Erinnerung 2725

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