AOB286L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 13A TO263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 70A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3142pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AOB280 AOS Spezialisierte heiße ICs 11500
AOB2806 AO/ Spezialisierte heiße ICs 5999
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