AOD3C60 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 648pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
AOD3C50 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2752
AOD3C60 MOS AO Spezialisierte heiße ICs 5368

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