AON6718L_101 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4463pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SRFET™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case 8-DFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 80A (Tc)
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AON6702 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2561
AON6702L AOS Spezialisierte heiße ICs 908
AON6702L MOS AOS Spezialisierte heiße ICs 545
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AON6704A VB Spezialisierte heiße ICs 1000
AON6704L AOS Spezialisierte heiße ICs 1266
AON6704L IC ALPHA Spezialisierte heiße ICs 3490
AON6706 VB Spezialisierte heiße ICs 13338
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AON6708 AOS Spezialisierte heiße ICs 12481

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