AOTF8N65 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 8A TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3F
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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AOTF8N50 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 38636
AOTF8N50 IC AOS Spezialisierte heiße ICs 439
AOTF8N50 MOS AO Spezialisierte heiße ICs 552354
AOTF8N50L AOS Spezialisierte heiße ICs 16404
AOTF8N50_002 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2585
AOTF8N50_003 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
AOTF8N60 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 56681
AOTF8N60 IC AOS Spezialisierte heiße ICs 407
AOTF8N60L ALPHA Spezialisierte heiße ICs 2675
AOTF8N65L AOS Spezialisierte heiße ICs 1808

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