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AOW7S65 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-262 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 434pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | aMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
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Datenblätter
2.AOW7S65.pdf 1.AOW7S65.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
AOW7S60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3069 |
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