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NESG2101M05-A Technische Spezifikationen

TRANS NPN 2GHZ M05

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Supplier Device Package M05
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 17GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-343F
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gain 11dB ~ 19dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NESG2021M05 NEC Spezialisierte heiße ICs 15200
NESG2021M05-EVNF58 CEL (California Eastern Laboratories) RF Evaluierungs- und Entwicklungskits, Platinen 2687
NESG2021M05-EVNF58 CEL RF-Platinen
NESG2021M05-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 21230
NESG2021M05-T1-A NEC Spezialisierte heiße ICs 8084
NESG2021M16-T3 Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 5732
NESG2021M16-T3-A Rochester Electronics, LLC RF-BJT-Transistoren
NESG2030M04 NEC Spezialisierte heiße ICs 12500
NESG2030M04-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2631
NESG2030M04-A CEL RF-BJT-Transistoren

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NESG2101M05-A Markenhersteller: CEL (California Eastern Laboratories), Bonchip Aktie, NESG2101M05-A Referenzpreis. NESG2101M05-A Parameter, NESG2101M05-A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NESG2101M05-A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NESG2101M05-A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NESG2101M05-A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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