UPA802T-T1-A Technische Spezifikationen

RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Supplier Device Package SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 7GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz
Gain 12dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V
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UPA800T-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2518
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UPA800T-T1 CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 1116
UPA800T-T1 CEL RF-BJT-Transistoren
UPA800T-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 30224
UPA800T-T1-A CEL RF-BJT-Transistoren
UPA800T-T1. NEC Spezialisierte heiße ICs 3040
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