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2N2919 Technische Spezifikationen
TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 600mW |
Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10µA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-78-6 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
2N2919 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen '2N291'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
2N2913 | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2500 |
2N2913 | Central Semiconductor Corp | Arrays BJT-Transistoren | |
2N2914 | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2637 |
2N2914 | Central Semiconductor Corp | Arrays BJT-Transistoren | |
2N2915 | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2500 |
2N2915 | Central Semiconductor Corp | Arrays BJT-Transistoren | |
2N2915A | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2694 |
2N2915A | Central Semiconductor Corp | Arrays BJT-Transistoren | |
2N2916 | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2580 |
2N2916 | Central Semiconductor Corp | Arrays BJT-Transistoren |
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