2N6520 Technische Spezifikationen

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92
Packaging Bulk
Other Names 2N6520 PBFREE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 40MHz 625mW Through Hole TO-92
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N6520 Original Spezialisierte heiße ICs 10327
2N6520BU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2521
2N6520BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2715
2N6520BU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N6520RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3730
2N6520RLRA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N6520RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2537
2N6520RLRAG Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
2N6520RLRAG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N6520TA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2492

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