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BU806 Technische Spezifikationen

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type NPN
Power - Max 60W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 5A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Other Names BU806 PBFREE BU806CS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 60W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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