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CTLDM8120-M621H BK Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V DFN6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 950mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) 8V
Supplier Device Package TLM621H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Other Names CTLDM8120-M621H BK-ND CTLDM8120-M621HBK
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA (Ta)
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