TIP33A Technische Spezifikationen

TRANS GENERAL PURPOSE TO-218

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 80W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-218
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TIP33 ST Spezialisierte heiße ICs 33
TIP33-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2704
TIP33-S Bourns Inc. Einzelne BJT-Transistoren
TIP33A Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
TIP33A-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2593
TIP33A-S Bourns Inc. TIP33A-S
TIP33B Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2774
TIP33B Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
TIP33B-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2548
TIP33B-S Bourns Inc. Einzelne BJT-Transistoren

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