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TIP35B Technische Spezifikationen

TRANS GENERAL PURPOSE TO-218

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 125W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 15A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 25A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-218
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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TIP35-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2697
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TIP35A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2539
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