C2M0080120D Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C2M™
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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