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C3M0280090D Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 11.5A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +18V, -8V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 7.5A, 15V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
C3M0280090D Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2690
C3M0280090J Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2524
C3M0280090J Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
C3M0280090J-TR Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2661
C3M0280090J-TR Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0

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