S27KS0641DPBHI020 Technische Spezifikationen

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology DRAM
Series HyperRAM™
Package / Case 24-TBGA
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 64Mb (8M x 8)
Memory Format DRAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 166MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 24-BGA (6x8)
Packaging Tray
Other Names 428-3858
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Detailed Description DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
Access Time 40ns
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S27KS0641DPBHA020 Cypress Semiconductor Erinnerung 2669
S27KS0641DPBHA020 Cypress Semiconductor Corp Erinnerung
S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor Erinnerung 2599
S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor Corp Erinnerung
S27KS0641DPBHB023 Cypress Semiconductor Erinnerung 2574
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