2N7002H-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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2N7000 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 61787
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2253
2N7000 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 61847
2N7000 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
2N7000 IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 397
2N7000 MOS NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 1843
2N7000,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
2N7000-D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 160397
2N7000-D26Z ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
2N7000-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2764

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