ADTA123JUAQ-13 Technische Spezifikationen

PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 10

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type PNP
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transition Frequency 250MHz
DC Current Gain-Min (hFE) 80
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
ADTA113ZCAQ-7 Diodes Incorporated Vorbelastete BJT-Transistoren
ADTA113ZUAQ-13 Diodes Incorporated Vorbelastete BJT-Transistoren
ADTA113ZUAQ-7 Diodes Incorporated Vorbelastete BJT-Transistoren
ADTA114ECAQ-13 Diodes Incorporated Vorbelastete BJT-Transistoren
ADTA114ECAQ-7 Diodes Incorporated Vorbelastete BJT-Transistoren
ADTA114EUAQ-13 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2560
ADTA114EUAQ-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2760
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