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DDTB114EU-7-F Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DDTB113EC-7 DIODES Spezialisierte heiße ICs 2794
DDTB113EC-7-7 DIODES Spezialisierte heiße ICs 3000
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9254
DDTB113EU-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2473
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3463
DDTB114EC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 20500
DDTB114EC-7-F IC Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 12420
DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2531
DDTB114GU-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3498

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