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DDTC115TUA-7-F
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DDTC115TUA-7-F Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DDTC113TCA-7 | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2731 |
DDTC113TCA-7-F | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 3615 |
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DDTC113TE-7-F | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 18000 |
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DDTC113TUA-7 | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2566 |
DDTC113TUA-7-F | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 15369 |
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DDTC115TUA-7-F Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DDTC115TUA-7-F Referenzpreis. DDTC115TUA-7-F Parameter, DDTC115TUA-7-F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DDTC115TUA-7-F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DDTC115TUA-7-F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DDTC115TUA-7-F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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