DMG2302U-7 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 594.3pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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DMG2301L-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2638
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