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DMG4406LSS-13 Technische Spezifikationen

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1281pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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